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高濃度超純臭氧發(fā)生器(連續(xù)供給類型)

品牌：日本明電舍
介紹：Meiden純臭氧發(fā)生器是液化和儲存臭氧氣體并連續(xù)供應高純度臭氧氣體的裝置。
濃度：≤100%
特點：該裝置可以安全，連續(xù)地生產(chǎn)濃度接近100％的臭氧氣體。
應用： 薄膜、材料、半導體、先端技術(shù)、醫(yī)療、環(huán)境

標簽： 超純臭氧發(fā)生器

Meiden純臭氧發(fā)生器是液化和儲存臭氧氣體并連續(xù)供應高純度臭氧氣體的裝置。由于高純度的臭氧水平，它可以用作半導體工藝中的氧自由基產(chǎn)生源。為了安全起見，本機具有足夠的安全措施。

此外，該單元是與日本國立先進工業(yè)科學技術(shù)研究所共同開發(fā)的。

參數(shù)

積蓄處

臭氧反應室數(shù)量：2

最大臭氧積蓄量*¹ [cc*²] ：32000/裝置 16000/反應室

液體臭氧濃度[％] ? 100

供給處

連續(xù)供給能力[sccm]：100*9

最大供給能力[sccm] ：300

臭氧氣體濃度[％] ： 90

最大供給時間[分]*³ ：100

國際安全標準SEMI-S2, UL, NFPA, CE ：符合

特征：

將臭氧生成裝置產(chǎn)生的臭氧氣體極度低溫液化后，生成100%濃度臭氧

可以持續(xù)供給100%濃度臭氧

高濃度超純臭氧發(fā)生器(連續(xù)供給類型)(圖1)

安全對策

基于安全裝置設計的考慮，保持高純度?減壓狀態(tài)，使臭氧不產(chǎn)生危險反應。

安全設計

• 緊急時的防爆設計

• 停電，異常時通過安全系統(tǒng)控制溫度和壓力。

信賴性

• 停電時、先稀釋臭氧濃度，然后將裝置內(nèi)殘留臭氧緊急排出。

• 異常發(fā)生時可以通過EMO（緊急停止）開關(guān)來手動停止裝置。（為防止臭氧爆炸，冷凍機具有持續(xù)運行功能）

• 液化反應室收納于真空斷熱的SUS容器中，萬一臭氧發(fā)生爆炸也不會造成對外部機械損傷。

• 液態(tài)臭氧冷卻裝置具有足夠的容積來容納液態(tài)臭氧，減少由震動引起的急速氣化爆炸風險。

標準認證

• 符合國際安全標準（SEMI-S2、UL、NFPA、CE 等）

品質(zhì)保證

• 由第三方認證機關(guān)通過示蹤氣體實驗認證具有防止氣體泄露的安全性。

OER *工藝技術(shù)
通過將高濃度臭氧和乙烯混合，成功地生成了大量OH自由基。

高濃度超純臭氧發(fā)生器(連續(xù)供給類型)(圖2)

裝置構(gòu)成圖（連續(xù)供給類型)

高濃度超純臭氧發(fā)生器(連續(xù)供給類型)(圖3)

適用領域

場地	類別	適用技術(shù)	預期效果
環(huán)境	水處理	純臭氧處理方法	消毒，除臭和脫色
藥物治療	醫(yī)療器材	純臭氧處理方法	滅菌和制藥（有機合成）
電影	與FPD相關(guān)	新增氣體處理方法	觸摸屏等的表面改性和涂膜
	半導體安裝相關(guān)		用于FPC等的表面改性和涂膜
	食品相關(guān)		包裝材料的表面改性
	電池相關(guān)		太陽能電池等膜的表面改性
材料	成員	純臭氧處理方法	碳納米管改性和球形硅氧化
電池	電極片	新增氣體處理方法	電極部件修改
半導體	成膜工藝	•純臭氧處理方法 •UV臭氧CVD處理方法 •添加氣體處理方法	氧化，CVD，絕緣膜改性，灰化和干洗
半導體	平版印刷	•純臭氧處理方法 •UV臭氧CVD處理方法 •添加氣體處理方法	光掩模修改，精密零件清潔和EUVL
先進的系統(tǒng)	微機電系統(tǒng)	•純臭氧處理方法 •添加氣體處理方法	灰化和干洗
	納米壓印		干洗壓模
	微加工相關(guān)		高溫超導膜和分子束外延（MBE）
	印刷電子		印刷步驟前后的表面改性和涂層

外形圖

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